(электрод МОП-транзистора)

См. также в других словарях:

• Изобретение транзистора — Основная статья: Транзистор Макет точечного транзистора Бардина и Браттейна. Треугольник в центре  прозрачная призма, по рёбрам которой приклеены полоски фольги  выводы коллектора и эми …   Википедия

• N-МОП — Эта статья или раздел нуждается в переработке. Пожалуйста, улучшите статью в соответствии с правилами написания статей …   Википедия

• ТРАНЗИСТОР — полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрического тока и управления им. Транзисторы выпускаются в виде дискретных компонентов в индивидуальных корпусах или в виде активных элементов т.н. интегральных схем, где их размеры не… …   Энциклопедия Кольера

• ГОСТ 25532-89: Приборы с переносом заряда фоточувствительные. Термины и определения — Терминология ГОСТ 25532 89: Приборы с переносом заряда фоточувствительные. Термины и определения оригинал документа: 21. Абсолютная неравномерность выходного сигнала ФППЗ Разность максимального и минимального значений выходного сигнала ФППЗ по… …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

• Интегрально-инжекционная логика — Упрощенная схема И2Л инвертора Интегрально инжекционная логика (ИИЛ, И2Л, И3Л, I2L) технология построения логических элементов на биполярных транзисторах. Интегрально инжекционная логика появилась в 1971 г. Содержание 1 …   Википедия

• М — Д — П-СТРУКТУРА — (структура металл диэлектрик полупроводник), конденсатор, состоящий из пластины полупроводника, слоя диэлектрика и металлич. электрода. При зарядке конденсатора электропроводность полупроводника изменяется вблизи границы раздела с диэлектриком… …   Физическая энциклопедия

• ИИЛ — Интегрально инжекционная логика (ИИЛ, И2Л, И3Л, I2L) технология построения логических электронных схем. Интегрально инжекционная логика появилась в 1971 г. Преимущества таких ИМС Высокая степень интеграции Малое потребление энергии на одно… …   Википедия

• Полевой транзистор — Полевой транзистор (англ. field effect transistor, FET) полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Протекание в полевом транзисторе… …   Википедия

• Униполярный транзистор — Полевой транзистор полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом. Протекание в полевом транзисторе рабочего тока обусловлено носителями заряда… …   Википедия

• ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР — транзистор, в к ром управление протекающим через него током осуществляется электрич. полем, перпендикулярным направлению тока. Принцип работы П. т., сформулированный в 1920 х гг., поясняется на рис. 1. Тонкая пластинка полупроводника (канал)… …   Физическая энциклопедия

• IGBT — Условное графическое обозначение IGBT. IGBT, БТИЗ (от англ. Insulated gate bipolar transistor  …   Википедия